Dioda schottky

 Dioda Schottky atau ( Schottky barrier diode) adalah dioda semikonduktor yang dibentuk dari persimpangan logam semikonduktor (bukan persimpangan p–n seperti dioda biasa). 

 Dioda ini dinamai dari fisikawan Jerman Walter H. Schottky yang pada tahun 1938 menjelaskan perilaku penyearahan pada kontak logam semikonduktor.

 Karena hanya menggunakan pembawa mayoritas (elektron) dan tidak memiliki daerah deplesi yang harus diisi ulang, dioda Schottky memiliki dua keunggulan utama dibanding dioda p–n:

Parameter	Nilai Tipikal	Keterangan
Tegangan Maju (Vf)	0,15 – 0,45 V	Jauh lebih rendah dari dioda silikon (~0,6–0,7 V)
Arus Bocor Balik (Ir)	Relatif tinggi (µA)	Meningkat seiring suhu
Tegangan Breakdown Balik (Vbr)	20 – 200 V	Lebih rendah dibanding dioda p–n
Waktu Pemulihan Balik (trr)	Beberapa nanodetik	Sangat cepat, tanpa charge storage
Arus Maju Maksimum (Ifmax)	Tergantung device	Arus kontinu maksimum yang aman
Kapasitansi Junction (Cj)	Rendah (pF)	Mendukung frekuensi tinggi
Suhu Operasi Junction	-55°C s/d 150°C	Tergantung tipe

• Tegangan maju rendah (~0,15–0,45 V vs ~0,6–0,7 V pada dioda silikon)

• Kecepatan switching sangat cepat (beberapa nanodetik)

• Karena itu juga dikenal sebagai dioda pembawa panas (hot-carrier diode). 

Dioda Schottky (juga disebut Schottky barrier diode atau hot-carrier diode) adalah dioda semikonduktor yang menggunakan persimpangan logam–semikonduktor (bukan persimpangan p–n seperti dioda biasa), sehingga memiliki tegangan maju rendah dan kecepatan switching sangat cepat. 

 Biasanya dioda ini digunakan pada power supply pada umumnya karena ringkas, TV led, Adaptor tegangan rendah maupun tinggi.

dengan menggunakan satu dioda sudah bisa digunakan.

tidak seperti dioda silikon lainnya seperti in4007 yang harus menggunakan 4 pcs dibentuk bridge.

dioda schottky diaplikasikan pada rangkaian psu frekuensi tinggi dan bisa menghasilkan ampere yang cukup besar.

semoga manfaat..